第一代半导体材料概述第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。第二代半导体材料概述第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体)，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。因信息高速公路和互联网的兴起，还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。

半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料，其发展经历了三个阶段:第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表;第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP);第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石为代表。第三代半导体材料因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点，可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。由于性能优越等原因，许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划，竭力抢占战略制高点，我国也早已开始有所部署。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。2013年国家科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容，2015年、2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。但总体而言，国内在氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)材料及器件方面的发展起步较晚，与国际水平仍有较大差距，目前正在积极布局中。氮化镓(GaN)方面，相关企业有苏州能讯、中稼半导体、三安光电、海特高新、英诺赛科、江西晶能等。其中，苏州能讯已自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术，是国内首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业;海特高新控股子公司海威华芯的氮化镓已成功突破6英寸GaN晶圆键合技术;英诺赛科(珠海)科技有限公司8英寸硅基氮化镓(GaN)生产线也已实现量产，三安光电投资的GaN半导体生产线也已经建起来，瞄准第三代半导体设计生产和代工业务，目前在小批量送样测试。第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。随着全球半导体第三次产业转移，中国作为全球最大的半导体市场，在第三代半导体材料领域机遇与挑战共存，在贸易战和技术封锁的当下我们，需脚踏实地做好研发生产，突破封锁和技术落后的状况，努力取得这个领域的领先优势。相关个股$三安光电(SH)$$士兰微(SH)$$耐威科技(SZ)$

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