期刊介绍
期刊导读
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2020-2025年中国氮化镓(GaN)产业供需分析及投资前景
氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第三代半导体。与前两半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用,它从一项2019年6月3日,人们日报消息称,工业和信息化部将于近期发放5G商用牌照,我国将正式进入5G商用元年。
5G技术的建设和发展提高了电子技术对高温、高功率、高压、高频的器件需求,与此同时,新能源汽车、汽车电子、轨道交通等产业的快速推进,对微电子元件领域的要求也越来越高。于是第三代半导体应运而生。
氮化镓(GaN)作为一种宽禁带半导体,可承受更高的工作电压,意味着其功率密度及可工作温度更高,因而具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点,是实现5G的关键材料。
据Yole预测,2020年末,GaN射频器件市场规模将扩大至目前的2.5倍。2019-2020年,5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。未来10年,GaN市场将有望超过30亿美元。
产业研究院发布的《2020-2025年中国氮化镓(GaN)产业供需分析及投资前景预测报告》共八章。首先介绍了氮化镓的概念、特性、制备方法等,接着分析了半导体材料和氮化镓产业的整体发展状况。然后报告从主要类型、应用领域、国内外企业等方面对氮化镓行业进行了系统解析,最后报告对氮化镓产业的投资潜力及发展前景进行了科学的预测。
本研究报告数据主要来自于国家统计局、国家海关总署、商务部、财政部、工信部、产业研究院、产业研究院市场调查中心以及国内外重点刊物等渠道,数据权威、详实、丰富,同时通过专业的分析预测模型,对行业核心发展指标进行科学地预测。您或贵单位若想对氮化镓产业有个系统深入的了解、或者想投资该行业,本报告将是您不可或缺的重要参考工具。
报告目录
第一章 氮化镓相关概述
第一节、氮化镓基本介绍
一、氮化镓基本概念
二、氮化镓形成阶段
三、氮化镓性能优势
四、氮化镓半导体作用
第二节、氮化镓材料的特性
一、结构特性
二、化学特性
三、光学特性
四、电学性质
五、磁学特性
第三节、氮化镓的制备方法
一、金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术
二、分子束外延(MBE)技术
三、氢化物气相外延(HVPE)技术
四、悬空外延技术(Pendeo-epitaxy)
第二章 2017-2019年半导体材料行业发展综述
第一节、半导体材料相关概述
一、第一代半导体材料
二、第二代半导体材料
三、第三代半导体材料
四、半导体材料的应用
第二节、2017-2019年全球半导体材料发展状况
一、市场销售规模
二、区域分布状况
三、细分市场结构
四、市场竞争状况
第三节、2017-2019年中国半导体材料行业运行状况
一、应用环节分析
二、产业支持政策
三、市场销售规模
四、细分市场结构
五、产业转型升级
第四节、中国半导体材料行业存在的问题及发展对策
一、行业发展滞后
二、产品同质化问题
三、供应链不完善
四、行业发展建议
五、行业发展思路
第五节、半导体材料产业未来发展前景展望
一、行业发展趋势
二、行业需求分析
三、行业前景分析
第三章 2017-2019年氮化镓产业发展深度分析
第一节、氮化镓产业发展综述
一、产业链条分析
二、产业发展历程
三、产业支持政策
四、国产化将加速
第二节、2017-2019年氮化镓市场发展状况
一、氮化镓市场发展现状
二、氮化镓市场需求状况
三、氮化镓应用领域分析
四、氮化镓产业链供应商
五、氮化镓区域集聚发展
六、氮化镓器件发展瓶颈
第三节、氮化镓产业技术及研发状况
一、产业自主创新
二、产业研发进展
三、技术专利分析
第四章 2017-2019年氮化镓器件主要类型发展分析
第一节、发光二极管(LED)
一、发光二极管(LED)发展概述
二、发光二极管(LED)市场发展现状
三、发光二极管进出口数据分析
四、氮化镓基蓝绿光LED发展历程
文章来源:《现代电子技术》 网址: http://www.xddzjs.cn/zonghexinwen/2020/1002/518.html